E-Mode GaN FET,为了保证GaN FET任务的可靠性和高体系效果,芯片内置了的规划难点,为此U8608经过DEM管脚集成了驱动电流分档装备收效。如下图所示,经过布置DEM管脚分压值,可以遴选各异档位的驱动电流,然后治疗GaN FET的晓畅速度,体系策画者可以得到最优的EMI功用和体系效果的平衡。举座分压电阻值可参照
在满载和沉载工况下,编制工作在QR劳作形式,或许大幅消沉编制的开合消费。芯片恪守FB电压值调节谷底个数,一起为了体系在临界负载处的FB电压轰动导致谷底数跳变,产生噪音,开合电源芯片U8608接收了谷底确定业务形式,在负载必定的景遇下,导通谷底数安定,编制无噪音。
U8608一旦检测到短缺,包含VDD过压掩盖、过温偏护、输入过欠压粉饰、输出过压维护、异常过流粉饰等,开合电源芯片U8608登时成果开合行为并参加计时景象,一起VDD电压被高压供电电道钳位到VVDD_REG_ST (样板值 12V),原委TRECOVERY (榜样值 1.3s) 时分后要是差错仍然保存,那么编制将一贯一再一个计时作为,倘若差错境况毁灭,编制将从头发动。
开闭电源芯片U8608系列还集成轻载SR应力优化效力,在驱动电流装备为榜首、第二、第四档位时,当芯片工作于轻载形式时,将原边灵通速度折半,减小空载时SR的Vds应力过冲。U8608接收峰值电流独揽形式,或许自妥善的作事在QR和降频任务形式,然后告终全负载功率边界内的功率优化。
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及电路图 /
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